品牌 |
产地 |
型号
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特点 |
Micro Resist |
德国 |
mr-I 7000E系列 |
Tg = 60℃
优异的成膜质量
由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间
压印温度125 - 150℃,压印压力20 - 50 bar
Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA
可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
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mr-I 8000E系列 |
Tg = 115℃
优异的成膜质量
由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间
压印温度170 - 190℃,压印压力20 - 50 bar
Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA
可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
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mr-I PMMA 35k/75k系列 |
Tg = 105℃
优异的成膜质量
低分子量从而实现高效的流动性
压印温度150 - 180℃,压印压力50 bar
可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
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mr-I T85系列 |
Tg = 85℃
优异的成膜质量
压印温度140 - 170℃,压印压力大于5 bar
Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶
非极化热塑性、具有优异的紫外和光学透过率,高化学稳定性
可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
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mr-I 9000E系列 |
热固化之前Tg = 35℃
优异的成膜质量 接近等温加工处理 n 压印温度120℃ n 脱模温度100℃ 压印时温度从Tg到Tg,Cured增加并固化 非常低的残余胶层厚度低至5 nm Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶 可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
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mr-NIL 6000系列 |
光化学固化之前Tg = 40℃
优质的固体光胶薄膜
接近等温加工处理:压印、紫外曝光固化,压印与脱模在同一温度下进行
非常低的残余胶层厚度低至10 nm
图案转移时高保真度
Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶 可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率) 宽带或i线曝光
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mr-UVCur06 |
旋涂使用
优质的成膜质量和胶厚均一性
室温加工处理
由于快速地填充模版孔隙从而缩短工艺时间
低剂量紫外曝光快速固化
可获得优于30 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
Plasma刻蚀高阻抗性能
O2 Plasma刻蚀可无残余去除
宽带或i线曝光
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