基片 | 硅片 | 绝缘硅片（SOI） | 金刚石基片 硅片 品牌/产地 批次号 直径/mm 级别 类型/掺杂 晶格取向 厚度/um 电阻/ohm-cm 平整度 氧化层 抛光 其他 Ultrasil/美国 3-11503 76.2 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 610-630 1-30 Semi std. 1 / DSP TTV<1um,  Lasermarl on Front side 4-10421 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 340-360 1-30 Semi std.  /　 DSP TTV<1um 4-10695A 100 Prime Silicon Wafers N/Sb <1-0-0> 411-413 .005-.02 Semi std. /　 DSP TTV<1um 4-11034A 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 475-525 .01-.02 Semi std. /　 SSP TTV<10um 4-11055 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 400-475 1-30 Semi std. /  SSP TTV<10um 4~11083A 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 500+/-10 .005-.02 Semi std. /　 DSP TTV<1um 4-11096A 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 375-395 1-30 Semi std. /　 DSP TTV<1um, Scribe "B" on Backside 4-11144 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 500-550 1-100 Semi std. /　 SSP TTV<10um 4-11171 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 440-460 10-20 Semi std. /　 DSP TTV<1um 4-11206 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 515-535 1-15 Semi std. /　 DSP TTV<1um 4-11266 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 432-452 1-30 Semi std. /　 DSP TTV<2um 4-11295A 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 475-525 1-30 Semi std. /　 SSP TTV<10um 4-11302 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 425-475 1-30 Semi std. /　 SSP TTV<7um 4-11317 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 490-510 .01-.02 Semi std. /　 DSP TTV<1um 4-11330A 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 500-550 1-30 Semi std. /　 SSP TTV<10um, Lasermark on Front side 4-11342 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 375-425 1-30 Semi std. /　 SSP TTV<10um 4-11362 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 300-310 1-30 Semi std. /　 DSP TTV<2um 4-11383 100 Prime Silicon Wafers N/Sb <1-0-0> 345-355 .005-.02 Semi std. /　 DSP TTV<1um 4-11412 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 510-540 1-10 Semi std. /　 DSP TTV<1 um 4-11413 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 490-510 1-10 Semi std. /　 DSP TTV<1 um 4-11484A 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 475-525 1-30 Semi std. /　 SSP TTV<10um 4-11498 100 Prime Silicon Wafers Undoped <1-0-0> 490-510 >1,000/FZ Semi std. 1 /　 DSP TTV<2um 4-11508 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 300-310 1-30 Semi std. /　 DSP TTV<1um 4-11513B 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 500-550 10-20 Semi std. 0.3um SSP TTV<10um 4-11520 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 380-400 1-30 Semi std. /　 DSP TTV<5um 4-11521 100 Prime Silicon Wafers N/Ph <1-0-0> 295-305 1-10 Semi std. /　 DSP TTV<1um 4-11534 100 Prime Silicon Wafers Undoped <1-0-0> 405-425 >1,000/FZ Semi std. 1 /　 DSP TTV<1um 4-11536 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 355-405 5-10 Semi std. /　 DSP TTV<1um 4-11563A 100 Prime Silicon Wafer N/Ph <1-0-0> 475-525 1-10 Semi std. /　 SSP TTV<10um 4-11579A 100 Prime Silicon Wafer P/B <1-0-0> 475-525 1-30 Semi std. /　 SSP TTV<10um 4-11579B 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 475-525 1-30 Semi std. 1.2um SSP TTV<10um 4-11599 100 Prime Silicon Wafers N/Sb <1-0-0> 500-550 .005-.02 Semi std. /　 SSP TTV<10um 4-11640 100 Prime Silicon Wafers Undoped <1-0-0> 415-435 >1,000/FZ Semi std. /　 DSP TTV<1um 4-11661 100 Prime Silicon Wafers N/As <1-0-0> 500-550 .001-.004 Semi std. /　 SSP TTV<10um 4-9685A 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 500-550 1-5 2@270cw /　 SSP /　 4-7881 100 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 500-550 1-100 Round /　 SSP TTV<7 um 4-9458 100 Test Wafers Undoped <1-0-0> 500-550 >1,000/FZ Semi std.  　 SSP TTV<10um 5-11122 125 Virgin Test Wafers P/B <1-0-0> 600-650 1-30 Notch /　 SSP TTV<10um 5-6715B 125 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 600-650 .005-.02 Semi std.  /　 SSP 　 5-6595 125 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 1180-1220 >.5 Notch 0.2um DSP Lasermark on backside 6-6000 150 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 493-523 .01-.02 Jeida  Oxide SSP TTV<10um 6-9997 150 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 490-510 .01-.02 Jeida  /　 DSP TTV<1um 6-10818 150 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 500-550 .005-.02 Jeida  /　 SSP TTV<7um 6-11162 150 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 500-550 .005-.02 Jeida  /　 SSP TTV<7um 6-11296 150 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 600-650 1-30 Semi std. /　 SSP TTV<10um 6-11296A 150 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 575-625 1-30 Semi std. /　 SSP TTV<10um 6-11301 150 Prime Silicon Wafers N/Ph <1-0-0> 600-650 .001-.0015 Notch /　 SSP TTV<7um 6-11616 150 Prime Silicon Wafer N/Ph <1-0-0> 600-650 300-500 Semi std. /　 SSP TTV<10um 6-8993A 150 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 490-510 .01-.02 Semi std.  /　 DSP Lasermark on backside 8-11231 200 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 650-700 1-30 Notch /　 SSP TTV<15um 8-11403 200 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 700-750 1-10 Notch /　 SSP TTV<10um,Laser mark on frontside 8-9933A 200 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 655-675 1-30 Notch 1um DSP TTV<2um 8-8888 200 Epi Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 710-740 .0075 Semi std. /　 DSP /　 8-9679 200 Prime Silicon Wafers P/B <1-0-0> 700-750 1-30 Notch /　 SSP TTV<10um    注：如在产品介绍中未能发现合适的产品或需要更详细的技术信息，敬请联系我们！ 绝缘硅片（SOI） 1 品牌/产地 批次号 直径/mm 类型/掺杂 晶格取向 器件层厚度/um 器件层电阻/ohm-cm 器件 层抛 光 氧化层厚度/um 底层厚度/um 底层电阻/ohm-cm 底层抛光 Ultrasil 美国 3-1925 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 20+/-.5 .001-.003 P 1 510+/-15 >10,000/FZ P 3-2166 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 100+/-1 .01-.02 P 2 350+/-10 >1,000/FZ P 3-2224 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 30+/-1 .005-.02 P 4 350+/-10 .005-.02 P 3-2355 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 50+/-.5 .01-.02 P 1 400+/-5 .01-.02 P 3-2359 76.2+/-.2 D=P/B  H=N/Ph <1-0-0> 50+/-.5 .001-.003 P 2 510+/-10 >3,000/FZ P 3-2368 76.2+/-.2 N/Sb <1-0-0> 10+/-1 .01-.05 P 1 500+/-10 .01-.05 P 3-2370 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 7+/-.5 .005-.02 P 1 500+/-5 1-20 P 3-2371 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 50+/-1 .01-.02 P 2 500+/-10 1-20 P 3-2372 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 8.5+/-.5 1-10 P 0.5 500+/-10 1-10 P 3-2382 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 24+/-1 .005-.02 P 4 510+/-5 .005-.02 P 3-2389 76.2+/-.2  D=N/Sb  H=N/Ph <1-0-0> 48+/-1 .005-.02 P 1 500+/-10 1-10 P 3-2391 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 100+/-1 .01-.02 P 2 350+/-5 >1,000/FZ P(Oxide)  3-2422 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 60+/-1 .01-.02 P 1 350+/-10 1-10 P(Oxide) 3-2625 76.2+/-.2 P/B <1-1-1> 150+/-2 .001-.003 P 2 525+/-10 1-20 P 3-2629 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 75+/-1 <.1 P 4 400+/-10 <.1 P 3-2630 76.2+/-.2 N/Ph <1-0-0> 250+/-1 1-10 P 3 320+/-10 1-10 P 3-2631 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 45+/-1 .001-.005 P 2 500+/-10 >1,000/FZ P 3-2699 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 20+/-.5 .001-.005 P 1.5 500+/-10 1-20 P 3-2701 76.2+/-.2 N/Ph <1-0-0> 55+/-1 .001-.0015 P 1 400+/-10 1-20 P 3-4350 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 20+/-.5 .001-.002 P 1.5 400+/-10 1-20 P 3-4356 76.2+/-.2 P/B D=<1-1-0>   H=<1-0-0> 5+/-.5 1-20 P 0.5 500+/-10 1-20 P 3-4361 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 75+/-1 .04-.1 P 2 350+/-10 1-20 P 3-4376 76.2+/-.2 D=N/As  H=N/Ph <1-0-0> 15+/-.5 .001-.003 P 0.5 450+/-5 10-20 P 3-4381 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 3.5+/-.5 10-20 P 1 657+/-20 10-20 P 3-2779 76.2+/-.2 D=N/As H=N/Ph <1-0-0> 20+/-1 <.1 P 2 450+/-10 1-10 P 3-2782 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 40+/-1 .001-.01 P 1.5 400+/-5 1-30 P 3-3187 76.2+/-.2 D=N/As H=P/B <1-0-0> 15+/-1 .001-.005 P 2 500+/-10 >1,000/FZ P 3-3192 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 100+/-.8 .01-.02 P 2 350+/-5 >1,000/FZ P 3~3341 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 20+/-.5 <.01 P 2 400+/-25 <.01 P 3-3367 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 45+/-1 .001-.005 P 5 550+/-10 >1,000/FZ P 3-3441 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 30+/-1 .0026-.005 P 4 500+/-10 .0026-.005 P 3-3442 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 5+/-.5 10-20 P 0.5 510+/-10 10-20 P 3-3450 76.2+/-.2 N/Ph <1-0-0> 6.5+/-.5 5-10 P 1 400+/-7.5 15-25 P 3-3997 76.2+/-.2 N/Ph <1-0-0> 20+/-.5 >1,000/FZ P 2 400+/-10 >1,000/FZ P 3-4134 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 5+/-.5 7-13 P 0.6 570+/-10 7-13 P 3-4534 76.2+/-.2 P/B <1-0-0> 3+/-.5 >1,000/FZ P 1 500+/-15 1-30 P 3-4538 76.2+/-.2 D=N/Sb H=N/Ph <1-0-0> 4+/-.5 .01-.02 P 0.4 500+/-25 1-20 P 更多绝缘硅片请点击 下一页        注：如在产品介绍中未能发现合适的产品或需要更详细的技术信息，敬请联系我们！ 金刚石基片 1 品牌  产地 品名 产品介绍 应用领域 ADT 美国 金刚石晶圆             洁净度：没有污点或颗粒裸眼可见。        UNCD晶圆直径选择： 100 mm、        150mm、200mm、300mm可选。        UNCD金刚石可在任意大小的基片上        沉积，最大为300 mm    半导体器件、MEMS、纳米压印    科研仪器设备整体金刚石镀膜    新型表面材料如超级疏水表面或    生物相容性表面3D金刚石探针    和场发射结构制备    高选择性及高电压范围    电化学传感器和电极    通过金刚石的高级性能    用于器件晶圆级工艺的平 金刚石薄膜UNCD         边缘排除区域：5 mm         厚度：目标厚度±20%        厚度均匀性：<10%        电学性能：绝缘金刚石（Aqua系列）；        ≤0.1 ohm-cm 金刚石-硅DoSi        UNCD晶圆包含直接沉积在硅片上的金刚石 金刚石-绝缘硅DOI        UNCD金刚石-绝缘硅晶圆包含在整片        硅片正反两面的1μm热沉积硅氧化合物     注：如在产品介绍中未能发现合适的产品或需要更详细的技术信息，敬请联系我们！